三星电子已与国产存储芯片巨头长江存储达成专利许可协议，将采用长江存储的3D NAND “混合键合”技术，用于400+层V-NAND的开发与制造。
三星计划在第10代V-NAND（V10） 产品中，首次采用这项先进工艺。V10 NAND的堆叠层数预计在420到430层，目标是在今年下半年量产。
目前，行业主流3D NAND产品的堆叠层数仍停留在300层左右，SK海力士最高量产产品：286层、三星最高量产产品：321层。
面对高层数NAND制造的工艺瓶颈，三星选择引入W2W（Wafer-to-Wafer）混合键合技术，而这项技术的全球先行者，正是长江存储。

随着3D NAND不断向更高层数堆叠，传统的制造方式遇到了严重挑战：
芯片面积受限：传统架构中，外围电路占据约20%~30%的芯片面积，随着层数增加，面积占比可能达到50%，导致存储密度下降。电气性能瓶颈：高层堆叠导致信号传输路径变长，影响数据吞吐量，增加功耗。机械应力问题：当3D NAND达到300层以上，底层电路承受巨大压力，容易造成损坏。
为了解决这些问题，三星选择采用长江存储的Xtacking（晶栈）技术，这是全球首个成功商用的3D NAND混合键合工艺。

早在2018年，长江存储就推出Xtacking（晶栈）架构，率先在3D NAND制造中引入混合键合（Hybrid Bonding）技术，并建立了完善的专利布局。
混合键合（Hybrid Bonding）主要分为两种类型：W2W（Wafer-to-Wafer，晶圆对晶圆）、D2W（Die-to-Wafer，裸片对晶圆）
长江存储的CBA（CMOS Bonded Array）架构，采用了W2W混合键合，相较于传统方法具备多重优势：
✔ 去除传统凸点（Bump），缩短电路路径，提高I/O密度✔ 信号传输速率大幅提升，降低功耗，提高能效✔ 减少机械应力，提高产品稳定性与可靠性✔ NAND与外围CMOS电路分开制造，优化工艺，降低成本